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주로 결함에선 ADI CD가 ACI CD보다 더 큰가요?
2025.03.10
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삼성전자 경력 이직 프로세스에서 cbt를 본다는 것은 기술면접과 인사팀면접에서 합격을 했다는건가요? 혹시 면접까지 다 진행하고 cbt를 안 보는 경우가 있을지 궁금해서 질문드립니다
안녕하세요 이번 삼성 3급 공채 공정기술 직무 지원 예정인 졸업예정학생입니다! 이번 삼성전자 DS 공정기술 직무에 메모리사업부와 글인총이 올라온 걸로 알고 있습니다! 이 두 부서의 공정기술 직무의 업무 차이라던가, TO 차이가 있을까요? JD에선 정확히 알기가 어려워서 현직자분들께 질문드립니다. 감사합니다!
안녕하세요. 현재 박사 5년차 진행중이며, 26년 2월 졸업예정인 이공계 학생입니다. 한달 전쯤 삼성전자 mx사업부에서 경력직 수시채용 프로세스 중 레퍼런스 체크까지 완료하였으나, 한달이 지났음에도 아직까지 다음 프로세스에 대한 연락을 받지 못하였습니다.. 마지막 인사 면접시 아직 졸업까지는 기간이 남아있어 우선 입사자들 먼저 채용을 진행하기에 다음 프로세스까지는 시간이 좀 걸릴 수는 있을 것이라고 말씀해주셨는데,, 대략 어느정도에 연락이 올지..궁금하기도 하고 불안하여 여쭤봅니다.. 2월 졸업자 이기에 딜레이가 된다면..어느정도까지 딜레이가 될까요..? 9월 발표가 난다 해도 입사까지는 최소 6개월의 기간이 남을 것 같기는 한데, 이렇게 빨리 채용을 확정시켜주는 경우도 있을까요? 궁금한 점에대해 여쭤봅니다. 감사합니다.
삼성전자 경력 이직 프로세스에서 cbt를 본다는 것은 기술면접과 인사팀면접에서 합격을 했다는건가요? 혹시 면접까지 다 진행하고 cbt를 안 보는 경우가 있을지 궁금해서 질문드립니다
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답변 7
채택된 답변삼성전자 ADI CD, ACI CD 관련 질문 답변 삼성전자 ADI CD, ACI CD 관련 질문에 답변드리겠습니다. 두 용어 모두 반도체 제조 공정에서 발생하는 결함과 관련된 용어입니다. ADI CD (After Develop Inspection Critical Dimension) * 현상 공정 후 측정되는 회로 선폭 (Critical Dimension)을 의미합니다. * 현상 공정은 포토레지스트를 사용하여 웨이퍼에 회로 패턴을 형성하는 공정입니다. * ADI CD는 현상 공정이 제대로 수행되었는지 확인하는 중요한 지표입니다. ACI CD (After Chemical Mechanical Polishing Critical Dimension) * 화학적 기계적 연마 (Chemical Mechanical Polishing, CMP) 공정 후 측정되는 회로 선폭을 의미합니다. * CMP 공정은 웨이퍼 표면을 평탄화하는 공정입니다. * ACI CD는 CMP 공정이 제대로 수행되었는지 확인하는 중요한 지표입니다. 결함 크기 비교 일반적으로 ADI CD 결함이 ACI CD 결함보다 더 큰 경향이 있습니다. 그 이유는 다음과 같습니다. * 현상 공정: 현상 공정은 포토레지스트를 사용하여 회로 패턴을 형성하는 과정에서 다양한 변수에 의해 영향을 받을 수 있습니다. 예를 들어, 노광량, 현상액 농도, 온도 등이 영향을 미칠 수 있습니다. 이러한 변수들의 변화는 회로 패턴의 왜곡이나 변형을 일으켜 큰 결함을 유발할 수 있습니다. * CMP 공정: CMP 공정은 웨이퍼 표면을 평탄화하는 과정에서 발생하는 결함을 주로 다룹니다. 따라서, CMP 공정에서 발생하는 결함은 주로 웨이퍼 표면의 미세한 흠집이나 불균일성에 의해 발생하며, ADI CD 결함에 비해 크기가 작은 경향이 있습니다. 현직자만 아는 정보 (팁) * ADI CD와 ACI CD는 반도체 제조 공정의 수율과 성능에 직접적인 영향을 미치는 중요한 지표입니다. * 두 지표를 정확하게 측정하고 분석하는 것은 고품질의 반도체 칩을 생산하는 데 필수적입니다. * 최근 반도체 공정의 미세화가 진행됨에 따라 ADI CD와 ACI CD 측정 및 분석 기술의 중요성이 더욱 커지고 있습니다. 추가 정보 * ADI CD와 ACI CD 측정에는 다양한 측정 장비와 기술이 사용됩니다. 예를 들어, 주사전자현미경 (Scanning Electron Microscope, SEM), 원자현미경 (Atomic Force Microscope, AFM) 등이 사용됩니다. * ADI CD와 ACI CD 측정 결과를 분석하여 공정 조건을 최적화하고 결함을 줄이는 것은 반도체 제조 공정의 핵심 기술 중 하나입니다. 더 궁금한 점이 있으시면 언제든지 질문해주세요! 채택바랍니다.
ADI CD와 ACI CD는 반도체 공정에서 Critical Dimension(CD)을 측정하는 두 가지 단계입니다. ADI CD는 현상(Development) 후 포토레지스트(PR)의 CD를 측정하며, ACI CD는 식각(Etch), PR 제거, 클리닝 후 하부 박막의 CD를 측정합니다. ADI CD가 ACI CD보다 더 클 수 있습니다. 이는 현상 후 PR의 상태가 식각, 클리닝 등의 후속 공정에 의해 변형될 수 있기 때문입니다. 식각 과정에서 패턴이 줄어들거나 변형될 수 있어, ACI CD는 ADI CD보다 작거나 다를 수 있습니다. 따라서, 두 값은 공정의 각 단계에서 측정되는 CD의 차이를 보여줍니다.
